一、设备特征
1、 带宽和频率响应与探测器电容无关(高达10 nF)
2、 极低噪音，3 fA/√Hz等效输入噪声电流
3、 带宽DC…1 kHz
4、 跨阻抗(增益)5 x 109 V/A
二、应用领域
1、 光电二极管和光电倍增放大器
2、 光谱学
3、 电荷放大器
4、 电离探测器
5、 用于锁定、A/D转换器等的前置放大器
三、产品参数
| 规格参数 | 实验条件 VS = ± 15 V, TA = 25 °C |
| 增益 | 跨阻抗5 x 109V/A（>10 kΩ 负载） 准确度±1% |
频率响应 | 较低截止频率DC 上限截止频率1 kHz（-3 dB） 上升/下降时间400µs（10%-90%） 增益平坦度±0.1 dB |
输入 | 输入Equ。输入噪声电流3 fA/√Hz（300 Hz时） Equ。输入噪声电压8 nV/√Hz（300 Hz时） 输入偏置电流2 pA典型值。 输入偏置电流漂移系数2.3/10 K 偏移电流补偿±600 pA，可通过偏移微调器调节 最大输入电流±2 nA（线性放大） 输入偏移电压<1 mV 直流输入阻抗50Ω （虚拟）//5 pF |
| 输出 | 输出电压±10 V（>10 kΩ 负载） 输出阻抗50Ω （以>10 k终止Ω 最佳性能） 最大输出电流±10 mA（线性放大） |
| 供电 | 电源电压±15 V 电源电流±45 mA典型值。 |
| 规格大小 | 重量210克（0.5磅） 材料AlMg4.5Mn，镀镍 |
温度范围 | 储存温度-40…+100°C 工作温度0…+60°C |
四、产品数据表
