一、产品特征
1、 带宽和频率响应与探测器电容无关(高达10 nF)
2、 极低噪音,1.5 fA/√Hz等效输入噪声电流
3、 带宽DC…200 Hz
4、 跨阻抗(增益)1 x 1011 V/A
二、应用领域
1、 光电二极管和光电倍增放大器
2、 光谱学
3、 电荷放大器
4、 电离探测器
5、 用于锁定、A/D转换器等的前置放大器
三、电路图
1、光电模式下的光电探测器偏置:用于低速应用和最小暗电流。
5、光电导模式下的光电探测器偏压:用于快速应用,如果允许更多暗电流。偏置电压降低探测器电容。
四、产品参数
技术规格 | 试验条件 VS = ± 15 V, TA = 25 °C 热身20分钟(建议至少10分钟) |
增益 | 跨阻抗1 x 1011 V/A(>10 kΩ 负载) 准确度±1% |
频率响应 | 较低截止频率DC 上限截止频率200 Hz(-3 dB) 上升/下降时间2 ms(10%-90%) 增益平坦度±0.1 dB |
输入 | Equ。输入噪声电流1.5 fA/√Hz(@10 Hz) Equ。输入噪声电压90 nV/√Hz(@10 Hz) 输入偏置电流20 fA典型值/最大30 fA。 输入偏置电流漂移因子2/10 K 偏移电流补偿±30 pA,可通过偏移微调器调节 最大输入电流±100 pA(线性放大) 输入偏移电压<0.5 mV 直流输入阻抗1 kΩ (虚拟)//5 p |
输出 | 输出电压±10 V(>10 kΩ 负载) 输出阻抗50Ω (以>10 k终止Ω 最佳性能) 最大输出电流±10 mA(线性放大) |
供电 | 电源电压±15 V 电源电流±15 mA典型值。 |
规格大小 | 重量210克(0.5磅) 材料AlMg4.5Mn,镀镍 |
温度范围 | 储存温度-40…+100°C 工作温度0…+60°C |
绝对最大额定值 | 输入电压±10 V 电源电压±22 V |
五、产品数据表